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LinkedIn: Neena Chandra Lekha Badarla | LinkedIn

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The design of Class AB single ended medium power amplifier (MPA)for TR modules, RADAR, VSAT and LMDS applications. The MPA is designed using 0.5µm GaAs Pesudomorphic High Electron Mobilitz Transistor (pHEMT) with 75µm gate width and 8 fingers. It operates in the frequencz range of 5-6GHz with bias of 8V.