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Globalfoundries Inc patent inventors (2012)
stks.freshpatents.com
Joerg Hohage · Joerg Radecker · Johann Steinmetz · Jongwook Kye · Juergen Amon · Juergen Boemmels · Juergen Faul · Juhi Bansal · Jörg S. Radecker.
Business-Profile
Xing: Jörg Hohage
Selbständiger Ingenieur, Inhaber Einzelunternehmen / Dresden / Beratung zu Beschichtungstechnologie (Mikroelektronik, Photovoltaik, fundierte Kenntnis der Herstellung di…ähnlicher Schichten mittels PECVD und PLD, fundiertes Fachwissen zum Stressengineering von Schichtsystemen, Statistische Versuchsplanung
Bücher
Official Gazette of the United States Patent and Trademark Office:...
books.google.ca
... Hartmut Ruelke; Joerg Hohage, both of Dresden, Germany, and Lothar Mergili, Radebeul, Germany, assignors to Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale, ...
Synthese von Bornitridschichten mittels PLD-Verfahren - Jörg Hohage -...
books.google.lv
Synthese von Bornitridschichten mittels PLD-Verfahren. Front Cover. Jörg Hohage pages. 0 Reviews. What people are saying - Write a review.
Sonstiges
US B2 - Schemes for forming barrier layers for copper in...
patents.google.com
A method of forming a semiconductor structure includes providing a substrate; forming a low-k dielectric layer over the substrate; embedding a conductive...
US A1 - Advanced strained-channel technique to improve CMOS...
patents.google.com
A method of improving CMOS device performance, comprising the following steps. A structure having a gate electrode formed thereover and a channel formed...
US A - Merged bipolar/CMOS technology using electrically active...
patents.google.com
US A1 * Joerg Hohage Field effect transistor having an interlayer dielectric material having increased intrinsic stress.
Joerg Hohage, Dresden DE - Patent applications
www.patentsencyclopedia.com
Joerg Hohage, Dresden DE. Joerg Hohage, Dresden DE ... Patent applications by Joerg Hohage, Dresden DE
DAS COMPANY BOOK FÜR ALLE UNTERSTÜTZER FCSP UNTERSTÜTZER CLUB - PDF...
docplayer.org
32 REINIGUNGSSERVICE HOHAGE Jörg F. Hohage G Hamburg Tel.: WIR MACHEN SAUBER SAUBER. Immer eine frische Idee heute: ...
das letzte am 20. November (0:1). Kurz auf dem Düsseldorfer...
docplayer.org
... LeuchTek GmbH Elektro-Gemeinschaft Hamburg Red Carpet Event Jörg F. Hohage Reinigungs-Service petersen-graphics! Jens Petersen ...
US B2 - Method of forming a dual damascene structure utilizing...
patents.google.com
A method of forming a dual damascene structure on a substrate having a dielectric layer already formed thereon. In one embodiment the method includes...
US B2 - Method of forming ultra-thin SiN film by plasma CVD...
patents.google.com
A method of forming an ultra-thin SiN film includes: supplying a Si source gas into a reactor in which a substrate is placed on a susceptor; supplying an...
A two-step UV curing process for producing high tensile stressed...
www.cambridge.org
A two-step UV curing process for producing high tensile stressed silicon nitride layers - Volume 1455
Absolventen : Öko-Zentrum NRW
energieberater24-wg.oekozentrum.nrw
Dr. Jörg HohageDresden, joerg.hohage-at-hohschicht.de. Marietta PohlBautzen, marietta.pohl-at-gmail.com. Uve Friedrich Cottbus.
Implementation of CVD low-k dielectrics for high-volume production -...
go.gale.com
Gale Academic OneFile includes Implementation of CVD low-k dielectrics for high-volume by Hartmut Ruelke, Peter Huebler, Christof. Click to explore.
US B2 - Manufacturing method of semiconductor device
patents.google.com
The performance of the semiconductor device which formed the metal silicide layer in the salicide process is improved. An element isolation region is...
HOHAGE Schichttechnologie: Entwicklung Beschichtungsprozesse
www.hohschicht.de
HOHAGE Schichttechnologie bietet Ingenieur-Dienstleistung in der Entwicklung von Beschichtungsprozessen für Mikroelektronik, PV u. Spezialanwendungen an.
Kompetenz-Netzwerk für die Halbleiter-Industrie | SIP GmbH
www.sip-semicon.com
Das SIP Kompetenz-Netzwerk für Halbleiter-Technologien bietet Ihnen ✔Internationales Experten-Netzwerk ✔25 Jahre Erfahrung ✔Ansprechpartner erreichbar
MRS Online Proceedings Library (OPL): Volume | Cambridge Core
www.cambridge.org
Tobias Fischer, Lutz Prager, Joerg Hohage, Hartmut Ruelke, Stefan E. Schulz, Ralf Richter, T. Gessner; Published online by Cambridge University Press: 31 July ...
Table of Contents. Session 2A: Transistors: BTI and Traps - PDF Free...
docplayer.net
... Oliver Aubel, Jörg Hohage, Frank Feustel, Christian Hennesthal, Ulrich Mayer, Axel Preusse, Markus Nopper, Matthias Lehr, Jürgen Boemmels, and Susanne ...
The European Physical Journal Applied Physics (EPJ AP)
www.epjap.org
A two-step UV curing process for producing high tensile stressed silicon nitride layers. Tobias Fischer, Lutz Prager, Joerg Hohage, et al.
Unternehmen - Fachgebiet Beschichtungstechnologie
www.hohschicht.de
Fachkompetenz und Expertenwissen basierend auf langjähriger Tätigkeit in der Halbleiterindustrie, Schwerpunkt PECVD, Cu-Deckschichten, Stressengineering.
Nur noch kurz die Ohren kraulen? - Stadtbibliothek Freiberg
www.bibliothek-freiberg.de
NE: Mühle, Jörg ; Hohage, Kai ; Engels, Marte ; Delando, Ben ; Versch, Oliver ISBN CD EUR 9,99. GESCHICHTENSAMMLUNG ; HASE ...
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