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News
GaN Power ICs nun mit integrierter Sensorik
www.pressetext.com
... zu steigern", erklärt Patrick Waltereit, Leiter des Forschungsprojekts "GaNIAL" und stellvertretender Geschäftsfeldleiter Leistungselektronik am Fraunhofer IAF.
New semiconductor technology flies into space - Aktuelle Nachrichten...
news.tf.uni-freiburg.de
When satellite Proba-V flies into space in the coming weeks in order to begin its earth observation, the first European device based on the...
Effiziente Galliumnitrid-Spannungswandler für Energiesysteme der...
www.innovations-report.de
... da wir passive Bauelemente kleiner dimensionieren können«, erläutert Dr. Patrick Waltereit, Projektleiter am Fraunhofer IAF. »So lassen sich ...
Netzwerk-Profile
LinkedIn: Patrick Waltereit | LinkedIn
Patrick Waltereits berufliches Profil anzeigen LinkedIn ist das weltweit größte berufliche Netzwerk, das Fach- und Führungskräften wie Patrick Waltereit dabei ...
Private Homepages
UC Santa Barbara other Contacts Business Emails, Phone Numbers |...
www.adapt.io
Find the UC Santa Barbara company's other team/department contact details such as business emails, phone numbers, web address and other details. Get access to...
Ausbildung
Review of Recent Developments in Growth of AlGaN/GaN ...search.ieice.org › bin › summary
search.ieice.org
Andrea CORRION Christiane POBLENZ Patrick WALTEREIT Tomas PALACIOS Siddharth RAJAN Umesh K. MISHRA Jim S. SPECK Publication
IEICE Trans - Review of Recent Developments in Growth of AlGaN/GaN...
search.ieice.org
INVITED PAPER Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM Review of Recent Developments in Growth of AlGaN/GaN. High-Electron Mobility Transistors on 4H-SiC by. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy. Andrea CORRION. †a). , Christiane POBLENZ. †. , Patrick WALTEREIT. †. , Tomas ...
Bücher
Patrick Waltereit - AtariUpToDatewww.atariuptodate.de › authors › patrick-waltereit-6186
www.atariuptodate.de
Patrick Waltereit. Programme, die von Patrick Waltereit geschrieben oder herausgegeben wurden. Bildung · Demos · Emulatoren · Grafik · Hobby · Internet · MIDI ...
Patrick Waltereit | XanEdu Customization Platform
www.academicpub.com
Author: Patrick Waltereit. Results. Investigation of Leakage Current of AlGaN/GaN HEMTs Under Pinch-Off Condition by Electroluminescence Microscopy.
OPUS 4 | Experimental analysis of the gate-leakage-induced failure...
publikationen.reutlingen-university.de
This work investigates the electro-thermal behavior and failure mechanism of a 600V depletion-mode GaN HEMT by experimental analysis and numerical thermal...
Gallium Nitride Electronics - Rüdiger Quay - Google Books
books.google.de
Gallium Nitride Electronics covers developments in III-N semiconductor-based electronics with a focus on high-power and high-speed RF applications. Material...
Dokumente zum Namen
SCHATTENBLICK - ENERGIE/1129: Spannungswandler mit Galliumnitrid...
www.schattenblick.de
... in Freiburg haben nun gemeinsam mit dem Ferdinand-Braun-Institut in Berlin ... erklärt Dr. Patrick Waltereit, Projektleiter am Fraunhofer IAF.
Electrostatic fields and compositional fluctuations in „In,Ga…NÕGaN ...link.aps.org › pdf › PhysRevB
journals.aps.org
Patrick Waltereit,* Oliver Brandt, Jens Ringling,† and Klaus H. Ploog. Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, –7, D Berlin, ...
EPE Association: EPE LS4b: Wide Band gap devices
www.epe-association.org
By Richard REINER, R diger QUAY, Patrick WALTEREIT, Stefan M LLER, Fouad BENKHELIFA, Michael MIKULLA, Michael SCHLECHTWEG, Oliver ...
AFRL-SR-AR-TR-OS - … Technical Information Center
www.dtic.mil
CHRISTIANE POBLENZ, PATRICK WALTEREIT AND JAMES S. SPECK. Materials Department, University of California, Santa Barbara, Santa Barbara CA ...
Wissenschaftliche Veröffentlichungen
Patrick Waltereit - dblp
dblp.uni-trier.de
List of computer science publications by Patrick Waltereit.
FreiDok plus - Waltereit, Patrick
freidok.uni-freiburg.de
FreiDok plus · Universitätsbibliothek Freiburg. Suchen. Publikationen Personen Institutionen Projekte. Neuer Eintrag. Publikation Projekt Aktivität / Ehrung.
dblp: Microelectronics Reliability, Volume 49
dblp.uni-trier.de
Bibliographic content of Microelectronics Reliability, Volume 49
Veröffentlichungen allgemein
With electroluminescence microcopy towards more reliable AlGaN/GaN...
spie.org
Patrick Waltereit, Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Germany). Rüdiger Quay, Fraunhofer-Institut für Angewandte ...
Investigation of Leakage Current of AlGaN/GaN HEMTs Under Pinch-Off...
link.springer.com
PATRICK WALTEREIT,1 MICHAEL MIKULLA,1 OLIVER AMBACHER,1. FRANCK BOURGEOISFreiburg, Germany. 2.—United ...
(Al,Ga,In)N heterostructures grown along polar and non-plar...
edoc.hu-berlin.de
Patrick Waltereit. Titel: (Al,Ga,In)N heterostructures grown along polar and non-plar directions by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Gutachter: ...
Patrick Waltereit - Deutsche Digitale Bibliothek
www.deutsche-digitale-bibliothek.de
Die Deutsche Digitale Bibliothek ist das zentrale Portal für Kultur und Wissen. Sie macht das kulturelle Erbe der Bundesrepublik über das Internet zugänglich.
Artikel & Meinungen
Boosting photonic device performance by overcoming the quantum ...devicematerialscommunity.nature.com › posts ›
engineeringcommunity.nature.com
· However, already back in 2000, Patrick Waltereit et al. suggested the use of growth planes with normal vector orthogonal to inherent crystal ...
CeNS: Sonderseminar von NIM und des SFB 631
www.cens.de
Dr. Patrick Waltereit, Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics, Freiburg . (Al,Ga,In)N/GaN-based heterostructures: Physics and ...
Sonstiges
Patrick Waltereit | LinkedIn
www.linkedin.com
View Patrick Waltereit's professional profile on LinkedIn. LinkedIn is the world's largest business network, helping professionals like Patrick Waltereit discover ...
Patrick Waltereit - Prabookprabook.com › web › patrick.waltereit
prabook.com
Patrick Waltereit, German physicist. Achievements include patents pending for refined crystal growth procedures.
Bewährungsprobe für Galliumnitrid im All
www.elektronikpraxis.de
Wenn in den nächsten Wochen der ESA-Satellit Proba-V zur Erdbeobachtung in den Weltraum startet, ist erstmals ein europäisches Bauteil auf Basis des...
Compound Semiconductor April 2013
content.yudu.com
The institute in Freiburg has developed an amplifier circuit for the frequency ... live for at least 20 years”, says Patrick Waltereit, project leader at Fraunhofer IAF.
Mikroelektronik | Galliumnitrid, das Supermaterial für...
www.springerprofessional.de
Erstmals wird ein europäisches Bauteil auf Basis des Halbleiters Galliumnitrid an Bord eines Satelliten eingesetzt. Robuster, kompakter und leichter
9th WBG Workshop - Devices 2
atpi.eventsair.com
European Conference on Spacecraft Structures, Materials and Environmental Testing
Fraunhofer develops GaN power ICs with integrated sensors | E-Hikee-hike.net › content › fraunhofer-develops-gan-pow...
e-hike.net
... we have succeeded in significantly enhancing the functionality of our GaN technology for power electronics,” said Patrick Waltereit, Project Manager of ...
Fraunhofer-IAF’s GaN X-band amplifier to be launched aboard ESA’s...
sensorsandsystems.com
Tesat-Spacecom GmbH of Backnang, Germany, in cooperation with years,” says Dr Patrick Waltereit, project leader at Fraunhofer IAF.
Energietechnik | Galliumnitrid-Spannungswandler mögens richtig heiß |...
www.springerprofessional.de
Galliumnitrid-Spannungswandler mögens richtig heiß
GaN Power ICs nun mit integrierter Sensorik - WOTech Technical ...www.wotech-technical-media.de › womag › 6-Juni19 › _GaN-Power
www.wotech-technical-media.de
... so Patrick Waltereit, Leiter des Forschungsprojekts GaNIAL und stellvertretender Geschäftsfeldleiter Leistungselektronik am Fraunhofer IAF.
GaNIAL - Fraunhofer IAF
www.iaf.fraunhofer.de
Projektleiter, Dr. Patrick Waltereit. Ziele. Monolithische Integration von Gatetreibern, Freilaufdioden, Halbbrücken und Sensoren in einer GaN-auf-Si ...
2014 Physics Nobel Prize Journal Articles | American Institute of...
www.aip.org
AIP congratulates Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, and Shuji Nakamura on their receipt of the Nobel Prize in Physics
Improved AlScN/GaN heterostructures grown by metal-organic ...research.tue.nl › publications › improved-alscngan-...
research.tue.nl
... Jana Ligl, Kathrin Frei, Theodor Fuchs, Mario Prescher, Patrick Waltereit, Marcel A. Verheijen, Andreas Graff, Michél Simon-Najasek, Frank Altmann, ...
Integrated reverse-diodes for GaN-HEMT structures
www.infona.pl
This work introduces an enhanced GaN-HEMT structure that uses separated Schottky contacts as integrated free-wheeling diodes for the reverse operation. The...
Energietechnik | Galliumnitrid-Spannungswandler mögens ...www.springerprofessional.de › elektrotechnik › gallium...
www.springerprofessional.de
... der Systeme möglich, da wir passive Bauelemente kleiner dimensionieren können“, erläutert Dr. Patrick Waltereit, Projektleiter am Fraunhofer IAF. So lassen ...
Publications - GaNonCMOSganoncmos.eu › publications
ganoncmos.eu
... Fouad Benkhelifa, Stefan Moench, Michael Basler, Patrick Waltereit, Michael Mikulla, Rüdiger Quay and Oliver Ambacher, presented at PCIM Europe 2021, ...
Foto-Rätsel – Mittel- und Unterwiehre - Bürgerverein Mittel- und...
www.buergerverein-wiehre.de
Der Gewinner ist Patrick Waltereit. Herzlichen Glückwunsch! Dieser Eintrag wurde veröffentlicht in Allgemein von admin_bvw. Permanenter ...
Detailanzeige der Metadaten - Open Access Netzwerk (OAN)
oansuche.open-access.net
(Al,Ga,In)N heterostructures grown along polar and non-plar directions by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Authors: Patrick Waltereit. Contributors:.
Automobil + Motoren | Forscher entwickeln...
www.springerprofessional.de
Elektronische Bauteile auf Basis von Galliumnitrid sind, aufgrund der physikalischen Eigenschaften des Halbleiters, energieeffizienter,
Fraunhofer team integrates charging solution onto single GaN chip -...
compoundsemiconductor.net
Our selection of industry specific magazines cover a large range of topics.
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